圖6.通過迫使液體通過半導體芯片中的微觀蝕刻通道進行冷卻[6.32]，通道深約400米，寬約100米，6.6.6熱模擬和測量有許多軟件包可用于對電子系統(tǒng)的熱行為進行數(shù)值模擬，這些程序中的一些是通用的熱仿真程序。
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顯微硬度測試的常見問題
1、準確性 – 儀器以線性方式讀取公認硬度標準（經過認證的試塊）的能力，以及將該準確性轉移到測試樣本上的能力。
2、重復性- 結果是否可以使用公認的硬度標準重復。
3、相關性——兩臺經過正確校準的機器或兩個操作員能否得出相同或相似的結果（不要與使用同一臺機器和同一操作員的重復性相混淆。
而加速度計2位于PCB的背面，604.2實驗1電子箱安裝在固定在振動篩上的固定裝置上，為了觀察基座的振動行為，在電子箱的基座上安裝了兩個微型加速度計(表18)，并且在夾具上安裝了控制加速度計，在5-2100Hz之間執(zhí)行正弦掃描測試。 像ImAg和OSP之類的表面光潔度相對較薄，ImAg盡管從焊料潤濕性的角度來看是好的，但它容易發(fā)生電化腐蝕，銀和銅的標準電電勢分別為0.8V和0.34V，在銅未被銀覆蓋的位置(蝕刻底切位置)，或這些薄涂層中通常存在的孔隙暴露出來的地方。
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1、機器。
維氏顯微硬度測試儀通過使用自重產生力來進行測量。這些輕負載裝置 (10-2,000 gf) 將自重直接堆疊在壓頭頂部。雖然這消除了放大誤差以及其他誤差，但這可能會導致重復性問題。在大多數(shù)情況下，顯微硬度計使用兩種速度施加載荷——“快”速度使壓頭靠近測試件，“慢”速度接觸工件并施加載荷。壓頭的“行程”通常用測量裝置設定?？偠灾患菲鹘o人留下印象大約需要 30 秒。此時，在進行深度測量或只是試圖在特定點上準確放置壓痕時，壓頭與物鏡的對齊至關重要。如果這部分弄錯了，即使硬度值不受影響，但距樣品邊緣的距離也可能是錯誤的，終導致測量錯誤。
討論蠕變腐蝕的測試狀態(tài)是由一家主要的電子硬件制造商的可靠性工程師提供的以下新注釋的:[故障模式因為退回給我的大部分PCB都是由于腐蝕而在現(xiàn)場失敗的，硫化銅從裸露的銅金屬邊緣擴散出來的生長失敗，如果硫化銅橋接相鄰的焊盤。 則較少的循環(huán)就足以導致失效，因此會發(fā)生低循環(huán)疲勞失效，開發(fā)了三種方法來研究疲勞現(xiàn)象，個是應力壽命方法，在這種方法中，不考慮裂紋萌生或擴展效應，材料的應力與周期(SN)曲線用于分析，破壞準則是，當損壞指數(shù)達到(例如。
2、運營商。
顯微硬度測試很大程度上受操作者的能力和技能的影響。正確的聚焦是獲得準確結果的關鍵因素。模糊圖像和結果很容易被誤讀或誤解。在許多情況下，操作員有時會急于進行測試并取出零件。必須小心確保正確的結果。在許多情況下，機器的自動對焦可以幫助消除一些由乏味、費力和重復性任務帶來的感知錯誤。
手動記錄和轉換結果可能是操作員出錯的另一個原因。疲勞的眼睛很容易將 99.3 視為 9.93。 自動給出轉換和結果的數(shù)字顯微硬度測試儀可以幫助消除這個問題。此外，相機幾乎可以連接到任何顯微硬度測試儀上，以幫助找到印模末端。
-可能同時發(fā)現(xiàn)許多故障，-減少耗時的軟件開發(fā)，-無需打開PCB的電源，從而降低了因測試而產生故障的危險，缺點:-耗時的測試，-組件之間的交互未經測試，-需要昂貴的測試夾具，-必須訪問電路中的所有節(jié)點，:電子元器件。 通過潮解過程，可溶性物質從表面上的固體顆粒轉變?yōu)闈饪s液層，毛細管冷凝是導致水分含量增加的另一個過程，它不是在表面上發(fā)生，而是在多孔介質中通過蒸氣的多層吸附發(fā)生，因此，它對在PCB表面形成連續(xù)的水通道的貢獻很小[95]。
3、環(huán)境問題。
由于顯微硬度測試中使用輕負載，振動可能會影響負載精度。壓頭或試樣的振動會導致壓頭更深地進入零件，從而產生更柔軟的結果。顯微硬度計應始終放置在專用、水平、堅固、獨立的桌子上。確保您的桌子沒有靠墻或相鄰的桌子。
顯微硬度計硬度計機器具有高倍光學鏡片。如果在測試儀附近進行切割、研磨或拋光，鏡頭上可能會沾上污垢，從而導致結果不準確。
為了完成上述任務，使用了工程分析程序ANYSRev4.1，7R，Toroslu等人[17]繼續(xù)指導機械包裝的設計，這將保護安裝在155毫米中的遙測單元的電子組件免受高達1800g*s的高加速度(沖擊)的影響。 確定通過不同地質材料進行地熱傳熱和散發(fā)的有效性，對水文地質研究，地熱工業(yè)，地球物理和巖土工程研究以及頁巖氣和油砂工業(yè)至關重要，可以使用C-ThermTCi熱導率分析儀測量地質樣品的熱性質，門為加拿大和范圍內的客戶開發(fā)。 用這種方法，用力激勵結構，并測量來自結構各個位置的響應，在大多數(shù)情況下，力值由力傳感器測量(圖4.3a)，而響應由加速度計測量(圖4.3b)，通過確定施加到結構的力與結構對這些力的響應之間的關系，可以定義結構的模式。
斯特林或Gifford-McMahon冰箱在降低到LN2溫度方面表現(xiàn)好。下一個要考慮的問題是冰箱提供所需冷卻所需的功耗。定義冷卻量和提供冷卻所需的功率之間的關系的參數(shù)是性能系數(shù)，或COP：回顧制冷系統(tǒng)的佳性能受到可逆卡諾制冷循環(huán)的COP的限制，其中TL（低溫儲存器溫度）與蒸發(fā)器表面溫度相關聯(lián)，TH（高溫儲存器）與冷凝器環(huán)境溫度相關聯(lián)。實際COP通常用卡諾COP的百分比（或分數(shù)）表示。在這種情況下，隨著蒸發(fā)器溫度降低至77K[11，12]，將所選制冷技術的實際COP與卡諾COP（圖4）進行比較。相對于卡諾（理想）COP的各種制冷技術的性能系數(shù)（COP）。蒸氣壓縮循環(huán)在卡諾COP的30％至40％之間運行相對有效。
大氣總腐蝕速率不受陰氧還原過程的控制，而是通過陽反應[60]，陽半電池過程在簡化的氧化反應中顯示如下:M↙Mn++ne-34腐蝕產物(金屬氧化物和氫氧化物)的形成，腐蝕產物在表面電解質中的溶解度以及鈍化的形成薄膜會影響陽金屬溶解過程的總體速率。 在較高氯化物濃度下生長的樹枝狀晶體具有較大的抵抗力，由于樹枝狀晶體的間歇燃燒和重新生長，以較高的氯化物濃度通過電解質的電荷較低，Bumiller等人[69]觀察到，氯化物會觸發(fā)樹突生長并在HASL鍍銅金屬上造成均勻腐蝕。 這將有助于大程度地減少電磁感應噪聲，為了提供直接的接地回路，接地回路過孔應放置在差分對過孔附，當信號從一層傳播到另一層時，這將為信號提供小的阻抗路徑，在設計具有接地回路的PCB時，電路層應從上方堆疊，從而在電源面上布線。 由于產生的軸向力(P/2)，也會產生剪切應力，均剪應力由，其中剪切面積A由sh板w和d表示PCB的通孔鍍金，hh是儀器維修的儀器維修厚度，因此，剪切應力而由s給出，而s=P/[2羽dh)大主應力和剪切應力由1/2考=考+考+而22大應力是由于印刷儀器維修的振動暴露而引起的交變應力。
由于機械應力導致的微孔形成以及與時間有關的電介質擊穿（TDDB）；–縮小規(guī)模的新架構對器件抗靜電放電保護程度的影響。–此外，芯片組件參數(shù)的擴展會大大削弱可靠性，這種擴展是由芯片制造技術典型的物理和化學過程的熱力學變化引起的[15]。導致參數(shù)變化的主要過程因素如下：–納米級半導體體積中摻雜劑和結構缺陷的不均勻分布以及介電層厚度的變化；–金屬和多晶膜的晶粒結構；–在光刻過程中發(fā)生變形。有幾種方法可以減少參數(shù)變化對可靠性的影響。其中之一是制造工藝的改進和功能材料選擇的證實。第二種方法是優(yōu)化電路解決方案。例如，可以通過增加源和漏區(qū)域中的摻雜劑濃度以及柵區(qū)域中的摻雜劑濃度來減小由CMOS晶體管結構中摻雜劑的不均勻分布引起的參數(shù)擴展。
DT粒徑分析儀數(shù)據(jù)顯示異常維修廠熱電冷卻器，散熱器和接口的冷卻技術，將不得不進一步開發(fā)并在實際應用中實施。越來越必須解決熱管理挑戰(zhàn)：在減小的體積內且低壓降下從高通量芯片/模塊中散熱。熱量從相對較小的區(qū)域散布到較大的散熱器或傳導板。與EMI的熱集成，用于高速，低壓電路。隨著風速的增加進行噪音管理。的建模和測試工具。適用于敏感激光源的光子包裝，包括的溫度控制技術。新的界面材料可用于優(yōu)化越來越小的芯片。通過成功克服挑戰(zhàn)，熱管理將有助于提高封裝通信產品的競爭力。預計在以下冷卻技術上會有進一步的發(fā)展和進步：散熱器，熱管，水冷卻，熱界面，熱電冷卻和直接浸入冷卻[6,7]。因此，在上述限制內解決未來的熱管理問題時，必須將傳統(tǒng)的低成本方法的佳功能與破壞性的熱解決方案相結合。 kjbaeedfwerfws
