為了完成上述任務(wù)，使用了工程分析程序ANYSRev4.1，7R，Toroslu等人[17]繼續(xù)指導(dǎo)機(jī)械包裝的設(shè)計(jì)，這將保護(hù)安裝在155毫米中的遙測單元的電子組件免受高達(dá)1800g*s的高加速度(沖擊)的影響。
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顯微硬度測試的常見問題
1、準(zhǔn)確性 – 儀器以線性方式讀取公認(rèn)硬度標(biāo)準(zhǔn)（經(jīng)過認(rèn)證的試塊）的能力，以及將該準(zhǔn)確性轉(zhuǎn)移到測試樣本上的能力。
2、重復(fù)性- 結(jié)果是否可以使用公認(rèn)的硬度標(biāo)準(zhǔn)重復(fù)。
3、相關(guān)性——兩臺(tái)經(jīng)過正確校準(zhǔn)的機(jī)器或兩個(gè)操作員能否得出相同或相似的結(jié)果（不要與使用同一臺(tái)機(jī)器和同一操作員的重復(fù)性相混淆。
在該區(qū)域未檢測到鉛，點(diǎn)2點(diǎn)帶有金屬氧化物/氫氧化物和灰塵顆粒的放大SEM像在此示例中，金屬遷移路徑從陰生長到陽，在陽處，觀察到氧化錫/氫氧化錫而不是Sn/Pb樹枝狀晶體，同時(shí)，在該區(qū)域觀察到過多的粉塵污染。 Tagarno之類的應(yīng)用程序用于分析用高倍顯微鏡拍攝的儀器維修圖像，該應(yīng)用程序允許將圖像與[黃金"樣本進(jìn)行比較，以改善質(zhì)量控制，使用該應(yīng)用程序，您還可以執(zhí)行其他功能，例如創(chuàng)建圓形注釋，箭頭，添加文本或調(diào)整顏色。
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1、機(jī)器。
維氏顯微硬度測試儀通過使用自重產(chǎn)生力來進(jìn)行測量。這些輕負(fù)載裝置 (10-2,000 gf) 將自重直接堆疊在壓頭頂部。雖然這消除了放大誤差以及其他誤差，但這可能會(huì)導(dǎo)致重復(fù)性問題。在大多數(shù)情況下，顯微硬度計(jì)使用兩種速度施加載荷——“快”速度使壓頭靠近測試件，“慢”速度接觸工件并施加載荷。壓頭的“行程”通常用測量裝置設(shè)定?？偠灾?，一件樂器給人留下印象大約需要 30 秒。此時(shí)，在進(jìn)行深度測量或只是試圖在特定點(diǎn)上準(zhǔn)確放置壓痕時(shí)，壓頭與物鏡的對(duì)齊至關(guān)重要。如果這部分弄錯(cuò)了，即使硬度值不受影響，但距樣品邊緣的距離也可能是錯(cuò)誤的，終導(dǎo)致測量錯(cuò)誤。
確定了不同類型粉塵的相對(duì)濕度的臨界轉(zhuǎn)變范圍，超出臨界范圍受污染的PCB的阻抗會(huì)突然下降并下降幾個(gè)數(shù)量級(jí)，臨界轉(zhuǎn)變范圍提供了證據(jù)支持粉塵對(duì)阻抗損失的影響主要取決于其吸濕性化合物的CRH，在比較不同粉塵時(shí)觀察到很大的差異。 其高級(jí)FMA席席財(cái)務(wù)官兼可靠性工程師喬治·溫格(GeorgeWenger)早已在朗訊科技公司工作，溫格說:[嚴(yán)重的原因是它發(fā)生在錯(cuò)誤的時(shí)間，"[當(dāng)您不期望它發(fā)生時(shí)，當(dāng)您有新產(chǎn)品要出售給新客戶時(shí)，就會(huì)發(fā)生這種情況。
2、運(yùn)營商。
顯微硬度測試很大程度上受操作者的能力和技能的影響。正確的聚焦是獲得準(zhǔn)確結(jié)果的關(guān)鍵因素。模糊圖像和結(jié)果很容易被誤讀或誤解。在許多情況下，操作員有時(shí)會(huì)急于進(jìn)行測試并取出零件。必須小心確保正確的結(jié)果。在許多情況下，機(jī)器的自動(dòng)對(duì)焦可以幫助消除一些由乏味、費(fèi)力和重復(fù)性任務(wù)帶來的感知錯(cuò)誤。
手動(dòng)記錄和轉(zhuǎn)換結(jié)果可能是操作員出錯(cuò)的另一個(gè)原因。疲勞的眼睛很容易將 99.3 視為 9.93。 自動(dòng)給出轉(zhuǎn)換和結(jié)果的數(shù)字顯微硬度測試儀可以幫助消除這個(gè)問題。此外，相機(jī)幾乎可以連接到任何顯微硬度測試儀上，以幫助找到印模末端。
因此，這導(dǎo)致疲勞壽命測試中每個(gè)PCB的故障分布不同，根據(jù)電子制造部門的工程師的說法，這種SM電容器由于其尺寸而很難獲得相同質(zhì)量的焊料，但是，考慮到PCB的邊界條件，可以在SST之前作出評(píng)論，即個(gè)故障(前三個(gè)故障)有可能出現(xiàn)在PCB自由邊緣附的電容器上。 例如印刷儀器維修振動(dòng)，由于振動(dòng)引起的焊點(diǎn)疲勞和電子組件的振動(dòng)，這些研究將在第2章中簡要介紹，在第3章中，將詳細(xì)介紹所選電子盒和印刷儀器維修的有限元分析，通過考慮連接器孔對(duì)盒體和盒體上蓋的影響來檢查電子盒。
3、環(huán)境問題。
由于顯微硬度測試中使用輕負(fù)載，振動(dòng)可能會(huì)影響負(fù)載精度。壓頭或試樣的振動(dòng)會(huì)導(dǎo)致壓頭更深地進(jìn)入零件，從而產(chǎn)生更柔軟的結(jié)果。顯微硬度計(jì)應(yīng)始終放置在專用、水平、堅(jiān)固、獨(dú)立的桌子上。確保您的桌子沒有靠墻或相鄰的桌子。
顯微硬度計(jì)硬度計(jì)機(jī)器具有高倍光學(xué)鏡片。如果在測試儀附近進(jìn)行切割、研磨或拋光，鏡頭上可能會(huì)沾上污垢，從而導(dǎo)致結(jié)果不準(zhǔn)確。
測試的級(jí)別應(yīng)考慮成本與知識(shí)價(jià)值之間的關(guān)系，根據(jù)表5.4，重要的推論是仿真結(jié)果能夠確定在測試中先失敗的電容器，產(chǎn)品或組件的可靠性構(gòu)成產(chǎn)品質(zhì)量的重要方面，對(duì)產(chǎn)品可靠性的量化尤其令人感興趣，這樣人們就可以得出對(duì)產(chǎn)品預(yù)期使用壽命的估計(jì)。 合理性A，可靠性可靠性定義為組件按設(shè)計(jì)運(yùn)行的概率，而故障定義為組件按設(shè)計(jì)運(yùn)行的概率，電子元件的工作溫度與可靠性之間存在可預(yù)測的關(guān)系，這些組件的制造中使用的材料具有熱限制，并且如果超過這些熱限制，則會(huì)影響材料的物理和化學(xué)性質(zhì)。 例如在空間站的載人空間內(nèi)進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)，環(huán)氧基層壓板的典型熱性能值為Tg為150-170°C，面外CTE為50-70ppm/°C和面內(nèi)CTE為10-15ppm/°C，，材料，處理步驟或兩者都有差異，具體取決于為特定應(yīng)用選擇的PCB。
定義取決于方程式（1）中的溫度上升的三個(gè)常用性能參數(shù)是有益的：Rint=（Tj–Tcase）/芯片功率=dTj-case/ChipPower（2）Rext=（T情況-Tair）/芯片功率=dT情況-空氣/芯片功率（3）Rtotal=Rint+Rext（4）顯然，熱設(shè)計(jì)人員的目標(biāo)應(yīng)該是在使用封裝的系統(tǒng)條件下設(shè)計(jì)出低R總和。現(xiàn)在將通過TBGA示例說明模塊和系統(tǒng)的交互及其對(duì)Rint和Rext的影響。IBM磁帶球柵陣列（TBGA）封裝研究IBMTBGA提供了理想的功能，例如輕薄的結(jié)構(gòu)，靈活的定制設(shè)計(jì)，尺寸和引線數(shù)，與卡的CTE匹配以提供出色的可靠性，TCB或倒裝芯片互連以及出色的電氣和熱性能。在本文中。
TBBPA或磷化合物)的可燃性填充物降低層壓板(例如二氧化硅)的熱膨脹和成本促進(jìn)劑提高反應(yīng)速率，降低固化溫度，控制交聯(lián)密度NASA對(duì)PCB的獨(dú)特需求是什么，在許多情況下，在相對(duì)較大的溫度波動(dòng)范圍內(nèi)，選擇用于太空應(yīng)用的PCB材料可優(yōu)化終印刷儀器維修組件的性能。 因此，載荷的起始水(DIP分量的步)選擇為20-2000Hz3.13grms(4.93×10-33g2/Hz)隨機(jī)振動(dòng)，測試(圖5，24)再次選擇79個(gè)步驟的持續(xù)時(shí)間為1小時(shí)，以提供高循環(huán)疲勞發(fā)生率，+Z-Z圖5.填充PDIP的PCB的階躍應(yīng)力測試(振動(dòng)臺(tái)上的PCB338B34㊣500g范圍加速度計(jì)。 銅的腐蝕速率隨濕度的增加而急劇上升,然而，銀的腐蝕速率受濕度影響不大，MFG環(huán)境中的銅腐蝕速率比銀腐蝕速率高得多的原因可以根據(jù)這些金屬的腐蝕動(dòng)力學(xué)如何受到H2S濃度的影響來解釋，銅腐蝕速率與H2S濃度呈線性關(guān)系,而在較高的H2S濃度下。 新的在線涂裝在線上也會(huì)發(fā)生蠕變腐蝕[3]，蠕變腐蝕是指銅/銀金屬化層的腐蝕，以及2018消費(fèi)者16的發(fā)生14計(jì)算機(jī)12電信108工業(yè)6420有源無源互連組件的組件圖蠕變腐蝕故障的位置，硫化物腐蝕產(chǎn)物在PCB表面的擴(kuò)散。
TOC或TC是常規(guī)監(jiān)測殘留物和清潔驗(yàn)證的可接受方法。為了使TOC在功能上適用，先應(yīng)確定大量的污染材料是有機(jī)的，并且含有在TOC測試條件下可氧化的碳。這是一項(xiàng)重要的工作，因?yàn)槟承┯袡C(jī)化合物無法使用TOC可靠地檢測到?？梢詫OC用于直接表面樣品測試以及間接（沖洗水）樣品測試。在任何一種情況下，由于TOC不能在包含可氧化碳的不同化合物之間進(jìn)行識(shí)別或區(qū)分，因此將任何檢測到的碳?xì)w因于目標(biāo)化合物。以便與確定的限值進(jìn)行比較。因此，企業(yè)應(yīng)盡可能限制本底碳（即，除污染物之外的其他來源的碳）。確定的限值或檢測到的與規(guī)范進(jìn)行比較的殘留量應(yīng)針對(duì)目標(biāo)材料的碳成分進(jìn)行校正。至于任何清潔方法，必須進(jìn)行恢復(fù)研究（21CFR211.160（b））。
請看 進(jìn)口全自動(dòng)電位滴定儀維修技術(shù)精湛以及內(nèi)部散熱器和改良接口材料的使用，這些相對(duì)低成本的風(fēng)冷多芯片模塊可以接空間和體積水冷模塊的冷卻能力[Bar-Cohen，A.1987;Bar-Cohen，A.，1993年]。這些1980年代后期的風(fēng)冷模塊為電子行業(yè)提供了經(jīng)濟(jì)的熱包裝解決方案，并充當(dāng)了概念和材料的試驗(yàn)臺(tái)，這些概念和材料后來出現(xiàn)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的物理設(shè)計(jì)中。的半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）[SIA-1992]從1992年開始著手建立全行業(yè)技術(shù)路線圖，這表明了人們根深蒂固的期望，即摩爾定律對(duì)CMOS半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)將持續(xù)到下個(gè)世紀(jì)。伴隨著芯片尺寸，開關(guān)速度和晶體管密度的增加，要利用這種IC技術(shù)的潛力，必須對(duì)封裝技術(shù)進(jìn)行重大改進(jìn)。在1990年代。 kjbaeedfwerfws
