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美國OPTO DIODE位置傳感器ODD-SXUV-DLPSD
發(fā)布者:tjrlgd  發(fā)布時間:2020-11-18 16:15:55

天津瑞利光電科技有限公司優(yōu)勢經銷美國OPTO DIODE位置傳感器ODD-SXUV-DLPSD

產品型號:ODD-SXUV-DLPSD

關鍵字:OPTO DIODE位置傳感器ODD-SXUV-DLPSD

關鍵字描述:

產品介紹:

ODD-SXUV-DLPSD,雙側UV / EUV亞微米位置分辨率傳感器。新設備在暴露于紫外線和/或極紫外輻射后可提供高度穩(wěn)定的響應。它采用TO-8無窗口封裝,可大程度減少暴露于強烈的UV/EUV光子后二極管的響應度變化。ODD-SXUV-DLPSD的有效面積為5 mm x 5 mm,非常適合光刻應用以及需要使用200 nm以下波長的任何定位應用。

連續(xù)位置檢測光電二極管設計用于位置檢測1 nm400 nm波長的光。在13 nm處的響應度通常為0.20 A/W;254 nm的響應度通常為0.02 A/W。在工作條件下,暗電流為10(典型值)和50max.nA。新的ODD-SXUV-DLPSD具有反向擊穿電壓,min.50伏,電容為40(典型值)至60max.pF。操作和存儲溫度范圍從-10℃到40℃(環(huán)境溫度)和-20℃到80℃(在氮氣或真空條件下)。結溫為max.70℃,引線焊接溫度為0.080英寸,距外殼10秒鐘為260℃。

參數:

活動區(qū)域:25 mm2

響應度R@13nm0.20 A/W

響應度R@254nm0.02 A/W

反向擊穿電壓,VRmin.50 V

電容,C40pF(典型),60 pFmax

上升時間VR = 30V,RL =50Ω:200 nm

分流電阻Vr =±10mV 5 MOhms

電極間電阻:5,000min),10,000(典型),15,000max)歐姆

ID的溫度系數:1.15/oC

位置非線性:±1 %(典型),±2%(max

隨著我國工業(yè)自動化水平、高科技產品的高速發(fā)展,我們意識到引進新技術和高科技產品的重要性。所以,瑞利光電自成立之初便憑借著對國內和國際市場的深入調研和了解,在經營理念、管理制度、貿易接洽、人才任用等方面都擁有較大的競爭力,并確立了明確的戰(zhàn)略目標。


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