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發(fā)布者:薛經理  發(fā)布時間:2023-01-06 10:47:00

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IGBT的工作原理和作用電路分析版:
  IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。
由此可知,IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定:
  --IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓;
  --IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓;
  --流過IGBT集電極-發(fā)射極的電流;
  --IGBT的結溫。
  如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅動電壓過低,則IGBT不能穩(wěn)定正常地工作,如果過高超過柵極-發(fā)射極之間的耐壓則IGBT可能性損壞;同樣,如果加在IGBT集電極與發(fā)射極允許的電壓超過集電極-發(fā)射極之間的耐壓,流過IGBT集電極-發(fā)射極的電流超過集電極-發(fā)射極允許的電流,IGBT的結溫超過其結溫的允許值,IGBT都可能會性損壞。

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