產(chǎn)品名稱：AE-波形發(fā)生器-EVOS LE
產(chǎn)品型號(hào)：EVOS LE
產(chǎn)品介紹：eVoS LE 是一種不對(duì)稱偏置波形發(fā)生器，旨在實(shí)現(xiàn)對(duì)基于等離子體的蝕刻和沉積工藝中的晶圓表面電壓和產(chǎn)生的離子力量分布 (IED) 的直接控制。 eVoS 系統(tǒng)由一個(gè)雙向電壓源和一個(gè)獨(dú)立的電流源組成，用于建立和控制晶圓表面電位。 eVoS 的非對(duì)稱輸出去除了正弦射頻偏置應(yīng)用固有的晶圓偏置限制和限制。 快速數(shù)字計(jì)量和新穎的控制算法能夠生產(chǎn)近乎單能的 IED。
性能特點(diǎn)：
具有同步所需輸入和輸出信號(hào)的脈沖能力
集成設(shè)計(jì)和緊湊的尺寸無(wú)需匹配網(wǎng)絡(luò)
高速計(jì)量提供實(shí)時(shí)偏置電壓和離子電流反饋
適用于標(biāo)準(zhǔn)腔室接口
實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓偏置電壓和由此產(chǎn)生的離子力量的直接控制
通過(guò)使用“正確的功率”來(lái)減少功率，只提供有用的離子力量
與 RF 偏置方法相比，獲得增強(qiáng)的離子力量選擇/區(qū)分
