概述
ME8321AS7G-N是一款滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)原邊反饋準(zhǔn)諧振模式的小功率 AC/DC 電源控制芯片。內(nèi)部集成了650V 的高壓功率 MOS 管，用于充電器，適配器和LED 驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域。實(shí)現(xiàn)±5%的恒壓恒流精度和小于100mW 的待機(jī)功耗。在恒壓模式下內(nèi)置了線電壓補(bǔ)償功能。采用準(zhǔn)諧振控制，實(shí)現(xiàn)高效率和良好的 EMI性能，滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)要求。該芯片集成了諸多保護(hù)功能，包括：VDD 欠壓保護(hù)(UVLO)，VDD 過(guò)壓保護(hù)，軟啟動(dòng)，逐周期過(guò)流保護(hù)，所有管腳浮空保護(hù)，內(nèi)置前沿消隱，VDD 電壓鉗位保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)，等等。
ME8321AS7G-N特點(diǎn)
● 效率滿足六級(jí)能效要求
● 原邊反饋(PSR)準(zhǔn)諧振（QR）控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效率，無(wú)
需光耦和TL431
● ±5%恒壓恒流精度
● 待機(jī)功耗小于100mW
● 內(nèi)置650V高壓MOSFET功率管
● 恒壓模式下內(nèi)置線壓降補(bǔ)償(Cable drop compensation)
● 內(nèi)置軟啟動(dòng)
● 所有管腳浮空保護(hù)
● 輸出過(guò)壓保護(hù)
● 逐周期電流限制
● 內(nèi)置前沿消隱(Leading edge blanking)
● VDD欠壓保護(hù)(UVLO)，過(guò)壓保護(hù)及鉗位
● 過(guò)溫保護(hù)
ME8321AS7G-N應(yīng)用場(chǎng)合
● 充電器
● 適配器
● LED照明
ME8321AS7G-N封裝形式
● 7-pin SOP7
