公司現(xiàn)采用成熟的低氧工藝,磁體的氧含量可以控制在1000ppm內(nèi)??梢詽M足較高性能 的工藝要求。近年又通過(guò)技術(shù)開(kāi)發(fā),逐漸研發(fā)了滲鏑技術(shù)工藝,大大的提高了磁體的內(nèi)稟矯頑力,磁體Hcj 可以提高4000-8000KOe。滿足客戶高溫老化要求同時(shí)增加產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。研發(fā)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的過(guò)程控制方法,突破了細(xì)化晶粒工藝,磁體的晶粒尺寸可以控制在4-6nm如圖,晶粒尺寸細(xì)小均勻,大幅度提高磁體內(nèi)稟矯頑力。