1500V光伏逆變器應(yīng)用模塊
針對光伏發(fā)電市場向更高電壓需求的發(fā)展，以及對效率的需求，三菱電機推出了面向1500V光伏逆變器應(yīng)用的模塊，包含新型封裝的1合1模塊和第7代NX封裝的IGBT模塊。
新型封裝的1合1模塊額定電流大，適用于不并聯(lián)或者少并聯(lián)的需求，而且1合1的封裝能夠靈活組成T型三電平或者I型三電平拓撲，以滿足客戶的多樣化需求。
第7代IGBT模塊
第7代NX封裝的IGBT模塊采用了三菱電機最新一代的CSTBTTM硅片和RFC二極管硅片技術(shù)，同時兼容業(yè)界主流器件封裝，因此有助于實現(xiàn)光伏逆變器更高的效率，并提高逆變器的競爭力。另一方面，第7代IGBT模塊所采用的一體化基板和直接樹脂灌封的SLC技術(shù)，將大大提升模塊本身及其所應(yīng)用的光伏逆變器的壽命?？傊@是一個性價比極高的解決方案。
三菱電機在其第7代IGBT模塊中采用了一體化基板和樹脂直接灌封的SLC技術(shù)，并優(yōu)化了一體化基板中的絕緣材料和灌封的樹脂材料，將其熱膨脹系數(shù)優(yōu)化為和銅一致，以避免溫度變化時所產(chǎn)生的應(yīng)力。從而，模塊的熱循環(huán)壽命和功率循環(huán)壽命得到極大的提升。相比第6代IGBT模塊，新一代模塊的熱循環(huán)壽命提升7倍以上(殼溫變化80℃時的測試結(jié)果)。
新材料應(yīng)用
在新材料研究和應(yīng)用領(lǐng)域，三菱電機從20世紀90年代開始進行SiC器件的基礎(chǔ)研究。目前，SiC器件結(jié)合三菱電機的封裝技術(shù)已經(jīng)到了相關(guān)的商用化階段。例如，采用DIPIPMTM封裝的SiC模塊已經(jīng)為空調(diào)的節(jié)能做出了貢獻;而采用HVIGBT標準封裝的1500A/3300V全SiC模塊已經(jīng)成功運行在日本的新干線上。
面對SiC器件的市場需求，三菱電機能夠提供相應(yīng)的混合SiC產(chǎn)品和全SiC產(chǎn)品應(yīng)用于家電領(lǐng)域，包含壓縮機的驅(qū)動及其PFC功能的需求。
針對中功率(幾十到幾百kW)電源應(yīng)用的需求，三菱電機能夠提供全系列的混合SiC模塊(100A~600A/1200V)，并且其中配置了高頻開關(guān)的IGBT硅片，以進一步縮小系統(tǒng)體積，提高系統(tǒng)性能。
對于大功率變流器的需求，目前三菱電機有相應(yīng)的混合SiC模塊，并且也得到了中國牽引客戶的認可。3300V的全SiC模塊在日本的牽引領(lǐng)域得到了商用化。隨著封裝技術(shù)的發(fā)展，將會有更為豐富的全SiC模塊進入到市場。
