英飛凌推出了全新的IGBT7，引起了廣泛關(guān)注IGBT模塊，IGBT驅(qū)動(dòng)板，IPM模塊，高低壓可控硅，晶閘管，電源模塊，功率模塊，變頻器，伺服電機(jī)，伺服驅(qū)動(dòng)器，步進(jìn)電機(jī)，變頻器主板，單三相整流橋，刀型/插式熔斷器，半導(dǎo)體二極管，電容器.PLC模塊.電磁閥，控制器
摘要
本文介紹了針對電機(jī)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù)，與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比，可大幅減少靜態(tài)損耗，并具備高可控性。而二極管因?yàn)閮?yōu)化了場截止設(shè)計(jì)，其振蕩發(fā)生的可能性大幅降低。在功率模塊中，IGBT和二極管的出色性能可帶來更高的電流密度和更大的輸出電流。不僅如此，通過將功率模塊的最高結(jié)溫提升到175 °C，輸出電流可增加50%以上。