英飛凌推出了全新的IGBT7,引起了廣泛關注IGBT模塊,IGBT驅動板,IPM模塊,高低壓可控硅,晶閘管,電源模塊,功率模塊,變頻器,伺服電機,伺服驅動器,步進電機,變頻器主板,單三相整流橋,刀型/插式熔斷器,半導體二極管,電容器.PLC模塊.電磁閥,控制器
摘要
本文介紹了針對電機驅動進行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術。該IGBT結構基于全新微溝槽技術,與標準技術相比,可大幅減少靜態(tài)損耗,并具備高可控性。而二極管因為優(yōu)化了場截止設計,其振蕩發(fā)生的可能性大幅降低。在功率模塊中,IGBT和二極管的出色性能可帶來更高的電流密度和更大的輸出電流。不僅如此,通過將功率模塊的最高結溫提升到175 °C,輸出電流可增加50%以上。