產(chǎn)品有：R型、CD型、ED型、OD型、EI型、SD型電源變壓器；BK、BKC、JBK3、4、5、6系列機(jī)床控制變壓器；JJ1、QZB系列三相自耦減壓?jiǎn)?dòng)變壓器，DG、DDG系列單相干式變壓器，SG系列三相干式變壓器、SJDK系列三相交流電抗器，ZS、ZSG系列整流變壓器，CSDGC系列防滴式船用變壓器，LK系列平波電抗器，CKDG、CKSG、CKSC系列串聯(lián)電抗器，CKS、CKD系列整流電抗器，及其它特種規(guī)格的變壓器。
:運(yùn)城防爆變壓器型號(hào)
選擇適當(dāng)?shù)臉渲统尚蜅l件，即是對(duì)于易変形破損的產(chǎn)品(如玻璃、線圈類、電氣零件等)，樹脂也可密封固定。選擇適當(dāng)?shù)哪＞邩?gòu)造，嵌件品也可完全封入樹脂內(nèi)。嵌件成型后，經(jīng)過去芯孔處理，也可制成帯有中空凹槽的產(chǎn)品。.立式注塑機(jī)與機(jī)械手、嵌件品整列裝置等的組合，嵌件成型工程大都可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)。自動(dòng)嵌件成型系統(tǒng)設(shè)計(jì)選擇1.金屬嵌件成型容易產(chǎn)生成型收縮率不均一，事先應(yīng)做重要部位的形狀、尺寸精度的極限試驗(yàn)。注射過程中金屬嵌件容易變形和移位，應(yīng)充分考慮模具構(gòu)成和容易保持金屬嵌件的模具形狀的設(shè)計(jì)。對(duì)于嵌件形狀不能改變的產(chǎn)品，事先試驗(yàn)是不可缺少的。金屬嵌件的排列分離而使用輸送器的場(chǎng)合下，金屬嵌件之間和嵌件與振動(dòng)球的接觸，會(huì)使嵌件表面產(chǎn)生細(xì)微的損傷，而影響產(chǎn)品。應(yīng)事先確認(rèn)其品質(zhì)容許極限范圍。應(yīng)事先測(cè)定金屬嵌件因?yàn)闆_壓加工而引起的鋸齒狀、翹曲量、材料厚度差、直徑差、敷金加工引起的厚度差等。在此基礎(chǔ)上進(jìn)行自動(dòng)化裝置的配套選擇設(shè)計(jì)及模具構(gòu)造的設(shè)計(jì)。模具澆口位置方式、成型周期等制約模具構(gòu)造的可預(yù)測(cè)，盡可能事先解決或有相應(yīng)的改善對(duì)策。應(yīng)確認(rèn)金屬嵌件是否需要預(yù)熱或干燥處理。目的在于保證產(chǎn)品和成型的穩(wěn)定性。模具內(nèi)設(shè)置的各種檢測(cè)器件，是為了在模具受熱、力、振動(dòng)等環(huán)境條件影響下，保證成型動(dòng)作安定而采用的，應(yīng)確認(rèn)是否使用。為了避免金屬嵌件、成型品的細(xì)微片堆積在模腔內(nèi)，要必要的話可組裝氣吹裝置。由于系統(tǒng)設(shè)備投資價(jià)格高，采用前要充分考慮能否確保設(shè)備運(yùn)行后的生產(chǎn)量。
本變壓器在下列條件下可靠工作 1、海拔高度不超過2500m； 2、環(huán)境空氣溫度：不超過40℃，不低于-25℃； 3、空氣相對(duì)濕度：濕月的平均相對(duì)濕度為90%； 4、無劇烈震動(dòng)和沖動(dòng)的地方； 5、在無危險(xiǎn)的介質(zhì)中，且介質(zhì)中無足以腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體及導(dǎo)電塵埃的地方。 6、不受雨雪侵襲的場(chǎng)所。 7、電源電壓波形近似于正弦波。
1、購(gòu)買前，先估算好您所用的電器總?cè)萘浚⑦x用有相當(dāng)容量的變壓器，確保瞬時(shí)起動(dòng)時(shí)不燒壞變壓器。 2、當(dāng)您使用多繞組（多控制電壓）的變壓器時(shí)，容量應(yīng)按電壓比相應(yīng)增加變壓器容量，以免燒壞變壓器。 3、安裝前，應(yīng)仔細(xì)校核銘牌所列各項(xiàng)數(shù)據(jù)是否符合您的，確認(rèn)無誤后，方可安裝使用。 4、通電工作后，變壓器鐵心和線圈將發(fā)熱（但溫升不超過80℃）屬正?，F(xiàn)象，若溫升超過80℃，甚至冒煙，則應(yīng)切斷電源開關(guān)，重新檢查您所用的電器容量。 5、在運(yùn)輸中，應(yīng)盡可能避免碰撞，切勿受潮，使用時(shí)，請(qǐng)維護(hù)，以保護(hù)變壓器使用壽命。
:運(yùn)城防爆變壓器型號(hào)上述兩類傳感器工作原理為：當(dāng)指紋中的凸起部分置于傳感電容像素電極上時(shí)，電容會(huì)有所增加，檢測(cè)增加的電容來進(jìn)行數(shù)據(jù)采集。傳感器中的像素點(diǎn)為45平方微米，間隔為5微米，電容像素陣列的分辨率略高于5dpi。這類傳感器基于一種標(biāo)準(zhǔn)的單-多晶硅三層金屬CMOS工藝，并采用.5微米工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)。金屬互連的第三層構(gòu)成電容像素層，由氮化鈦制成并覆蓋著一層氮化硅，厚度僅為7埃米。這種硬金屬電極與抗磨涂敷層組合形成的傳感器十分堅(jiān)實(shí)耐用，使用壽命可以達(dá)到很多年。
