可靠性問(wèn)題：片狀電容失效分為三個(gè)階段：
第一階段是片狀電容生產(chǎn)、使用過(guò)程的失效，這一階段片狀電容失效與制造和加工工藝有關(guān)。片狀電容制造過(guò)程中，第一道工序陶瓷粉料、有機(jī)黏合劑和溶劑混合配料時(shí)，有機(jī)黏合劑的選型和在瓷漿中的比例決定了瓷漿干燥后瓷膜的收縮率；第三道工序絲印時(shí)內(nèi)電極金屬層也較關(guān)鍵，否則易產(chǎn)生強(qiáng)的收縮應(yīng)力，燒結(jié)是形成瓷體和產(chǎn)生片狀電容電性能的決定性工序，燒結(jié)不良可以直接影響到電性能，且內(nèi)電極金屬層與陶瓷介質(zhì)燒結(jié)時(shí)收縮不一致導(dǎo)致瓷體內(nèi)部產(chǎn)生了微裂紋，這些微裂紋對(duì)一般電性能不會(huì)產(chǎn)生影響，但影響產(chǎn)品的可靠性。主要的失效模式表現(xiàn)為片狀電容絕緣電阻下降，漏電。
防范、杜絕微裂紋的產(chǎn)生：從原材料選配、瓷漿制備、絲網(wǎng)印刷和高溫?zé)Y(jié)四方面優(yōu)選工藝參數(shù)，以達(dá)到片狀電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)合理，電性能穩(wěn)定，可靠性好。
第二階段是片狀電容穩(wěn)定地被用于電子線路中，該階段片狀電容失效概率正逐步減小，并趨于穩(wěn)定。分析片狀電容使用過(guò)程中片狀電容受到的機(jī)械和熱應(yīng)力，即分析加工過(guò)程中外力對(duì)片狀電容可能的沖擊作用，并依據(jù)片狀電容在加工過(guò)程中受到的應(yīng)力作用，設(shè)計(jì)各種應(yīng)力實(shí)驗(yàn)條件，衡量作用在片狀電容上的外應(yīng)力大小及其后果。也可具體做一些片狀電容可靠性實(shí)驗(yàn)以明確片狀電容前階段是否存在可靠性隱患。
片狀電容在該過(guò)程中受到熱和機(jī)械應(yīng)力的作用，嚴(yán)重時(shí)出現(xiàn)瓷體斷裂現(xiàn)象。若片狀電容受到的熱和機(jī)械應(yīng)力接近臨界時(shí)，則不出現(xiàn)明顯的斷裂現(xiàn)象，而是表現(xiàn)為內(nèi)部裂紋的出現(xiàn)或內(nèi)部微裂紋的產(chǎn)生。用烙鐵補(bǔ)焊時(shí)，明顯裂紋則表現(xiàn)為斷裂，微裂紋大多數(shù)表現(xiàn)為電性能恢復(fù)正常，漏電現(xiàn)象消失，但時(shí)間一長(zhǎng)，片狀電容可靠性差的缺陷就體現(xiàn)出來(lái)。
第三階段是片狀電容長(zhǎng)時(shí)間工作后出現(xiàn)失效現(xiàn)象，這一階段片狀電容失效往往由于老化、磨損和疲勞等原因使元件性能惡化所致。電子整機(jī)到消費(fèi)者手中出現(xiàn)整機(jī)功能障礙，追溯原因，發(fā)現(xiàn)片狀電容漏電流大，失效。一般此類(lèi)問(wèn)題源自于第一階段或第二階段片狀電容可靠性隱患的最終暴露，該階段出現(xiàn)的質(zhì)量比前兩個(gè)階段嚴(yán)重得多。由于整機(jī)在消費(fèi)者使用過(guò)程中涉及到的條件，整機(jī)生產(chǎn)廠家和元器件廠家大多都模擬試驗(yàn)過(guò)，所以片狀電容在整機(jī)出廠前，應(yīng)符合電子線路的要求，但整機(jī)因片狀電容使用一段時(shí)間出現(xiàn)質(zhì)量問(wèn)題，則要認(rèn)真研究片狀電容生產(chǎn)或加工過(guò)程中的質(zhì)量隱患。應(yīng)更換片狀電容以保證電子整機(jī)設(shè)備的正常工作。
片狀電容出現(xiàn)質(zhì)量問(wèn)題，特別是涉及到可靠性方面的質(zhì)量問(wèn)題，是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。它的表現(xiàn)形式主要是瓷體斷裂、微裂或絕緣電阻下降、漏電流增大居多，出現(xiàn)片狀電容可靠性失效的質(zhì)量問(wèn)題，應(yīng)從大角度、全方位、分階段分析、研究該問(wèn)題。
當(dāng)然，客觀上片狀電容存在一定比率的失效率，針對(duì)與片狀電容有關(guān)的質(zhì)量問(wèn)題，既要承認(rèn)陶瓷片狀電容存在一定脆性，又要認(rèn)可通過(guò)現(xiàn)代貼片、組裝技術(shù)能夠最限度減少對(duì)陶瓷片狀電容的應(yīng)力沖擊。研究、分析片狀電容出現(xiàn)的質(zhì)量問(wèn)題，找到問(wèn)題產(chǎn)生的根源，對(duì)于現(xiàn)在大量使用于電子整機(jī)的片式電容而言，防范、杜絕可靠性問(wèn)題的出現(xiàn)，具有很現(xiàn)實(shí)的意義。
貼片電容不宜手工焊接，但如果條件不具備一定要用手工焊接，必須委任可靠的操作員；先把電容和基板預(yù)熱到150℃，用不大于20W和頭不超過(guò)3mm的電烙，焊接溫度不超過(guò)240℃，焊接時(shí)間不超過(guò)5S進(jìn)行，要非常小心不能讓烙鐵接觸貼片的瓷體，因?yàn)闀?huì)使瓷體局部高溫而破裂。
貼片式鋁電解電容擁有比貼片式鉭電容更大的容量，其多見(jiàn)于顯卡上，容量在300μF~1500μF之間，其主要是滿足電流低頻的濾波和穩(wěn)壓作用。
1、測(cè)試條件對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響
首先考慮測(cè)量條件的問(wèn)題，對(duì)于不同容值的貼片電容會(huì)采用不同的測(cè)試條件來(lái)測(cè)量容值，主要在測(cè)試電壓的設(shè)定和測(cè)試頻率的設(shè)定上有區(qū)別，下表所示為不同容值的量測(cè)條件:
電容
AC 電壓
頻率
容量>10μF
1.0± 0.2Vrms
120Hz
1000pF<容量≦10μF
1.0± 0.2Vrms
1kHz
容量≦ 1000pF
1.0± 0.2Vrms
1MHz
2、測(cè)量?jī)x器的差異對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.
大容量的電容（通常指1UF以上）測(cè)量時(shí)更容易出現(xiàn)容值偏低的現(xiàn)象，造成這種現(xiàn)象的主要原因是施加在電容兩端的實(shí)際電壓不能達(dá)到測(cè)試條件所需求的電壓，這是因?yàn)榧釉陔娙輧啥说臏y(cè)試電壓由于儀器內(nèi)部阻抗分壓的原因與實(shí)際顯示的設(shè)定電壓不一致。為了使測(cè)量結(jié)果誤差降到最低,我們建議將儀器調(diào)校并盡量把儀器的設(shè)定電壓跟實(shí)際加在電容兩端所測(cè)的電壓盡量調(diào)整,使實(shí)際于待測(cè)電容上輸?shù)某鲭妷阂恢隆?/span>
注意： 上表中所示的電壓是指實(shí)際加在測(cè)試電容兩端的有效電壓（理想電壓）。
由于測(cè)試儀器的原因，加在電容兩端實(shí)際的輸出電壓與設(shè)定的測(cè)量電壓(理想電壓）實(shí)際上可能會(huì)有所出入。
3、影響高容量電容容值測(cè)量偏低的因素
（1） 測(cè)試儀器內(nèi)部的阻抗之大小影響.
由于不同的測(cè)試儀器之間的內(nèi)部阻抗都不同，造成儀器將總電壓分壓而使加在測(cè)試電容兩端的實(shí)際電壓變小。在實(shí)際的測(cè)試過(guò)程中，我們有必要先使用萬(wàn)用表等工具測(cè)試夾具兩端的實(shí)際電壓，以確定加在測(cè)試貼片電容兩端的輸出電壓。
（2）不同阻抗的測(cè)試儀器的輸出電壓對(duì)比如下：
儀器內(nèi)阻100Ω
1V * [100Ω/(100Ω+16Ω)] = 0.86V
10uF測(cè)試電容的兩端電壓 ：
首先是陶瓷本體問(wèn)題-斷裂或微裂，這是最常見(jiàn)的問(wèn)題之一。斷裂現(xiàn)象較明顯，而微裂一般出在內(nèi)部，不容易觀察到，涉及到片狀電容的材質(zhì)、加工工藝和片狀電容使用過(guò)程中的機(jī)械、熱應(yīng)力等作用因素影響。
其次是片狀電容電性能問(wèn)題。片狀電容使用一段時(shí)間后出現(xiàn)絕緣電阻下降、漏電。
以上兩個(gè)問(wèn)題往往同時(shí)產(chǎn)生，互為因果關(guān)系。電容器的絕緣電阻是一項(xiàng)重要的參數(shù)，衡量著工作中片狀電容漏電流大小。漏電流大，片狀電容儲(chǔ)存不了電量，片狀電容兩端電壓下降。往往由于漏電流大導(dǎo)致了片狀電容失效，引發(fā)了對(duì)片狀電容可靠性問(wèn)題的爭(zhēng)論。
可靠性問(wèn)題：片狀電容失效分為三個(gè)階段：
第一階段是片狀電容生產(chǎn)、使用過(guò)程的失效，這一階段片狀電容失效與制造和加工工藝有關(guān)。片狀電容制造過(guò)程中，第一道工序陶瓷粉料、有機(jī)黏合劑和溶劑混合配料時(shí)，有機(jī)黏合劑的選型和在瓷漿中的比例決定了瓷漿干燥后瓷膜的收縮率；第三道工序絲印時(shí)內(nèi)電極金屬層也較關(guān)鍵，否則易產(chǎn)生強(qiáng)的收縮應(yīng)力，燒結(jié)是形成瓷體和產(chǎn)生片狀電容電性能的決定性工序，燒結(jié)不良可以直接影響到電性能，且內(nèi)電極金屬層與陶瓷介質(zhì)燒結(jié)時(shí)收縮不一致導(dǎo)致瓷體內(nèi)部產(chǎn)生了微裂紋，這些微裂紋對(duì)一般電性能不會(huì)產(chǎn)生影響，但影響產(chǎn)品的可靠性。主要的失效模式表現(xiàn)為片狀電容絕緣電阻下降，漏電。
防范、杜絕微裂紋的產(chǎn)生：從原材料選配、瓷漿制備、絲網(wǎng)印刷和高溫?zé)Y(jié)四方面優(yōu)選工藝參數(shù)，以達(dá)到片狀電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)合理，電性能穩(wěn)定，可靠性好。
第二階段是片狀電容穩(wěn)定地被用于電子線路中，該階段片狀電容失效概率正逐步減小，并趨于穩(wěn)定。分析片狀電容使用過(guò)程中片狀電容受到的機(jī)械和熱應(yīng)力，即分析加工過(guò)程中外力對(duì)片狀電容可能的沖擊作用，并依據(jù)片狀電容在加工過(guò)程中受到的應(yīng)力作用，設(shè)計(jì)各種應(yīng)力實(shí)驗(yàn)條件，衡量作用在片狀電容上的外應(yīng)力大小及其后果。也可具體做一些片狀電容可靠性實(shí)驗(yàn)以明確片狀電容前階段是否存在可靠性隱患。
