上述方法，其原理基本相同，即當防輻射鉛門沿軸向傳輸?shù)腡EM波經(jīng)過屏蔽材料時，有三種現(xiàn)象產(chǎn)生:
①由于波阻抗的不匹配(TEM波遇到試樣樣片時)而產(chǎn)生反射。
②由于防輻射鉛門材料的損耗而產(chǎn)生吸收衰減。
③由于兩個不連續(xù)界面而引人多次反射。
這三個過程同時存在。因此，被測樣片在同軸裝置內(nèi)衰減電磁波的能力是通過材料在同軸裝置中所引人的插入損耗來反映的。又因為防輻射鉛門材料在同軸裝置中衰減電磁波的能力與該材料在自由空間衰減電磁波的能力是相同的，所以，同軸裝置可以真實地模擬自由空間的遠場。也就是說，無論是同軸傳輸線法，還是法蘭同軸法測試屏蔽材料，所適用的頻率范圍為30MHz---1. 5GHz。因而，上述裝置及測量方法僅對材料屏蔽平面波的能力進行評價，而材料對磁場的屏蔽效能，則需用近場測量方法來評價。
