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西門子STL間接尋址常問問題集

1.1如何獲得指針或者間接尋址有關(guān)的信息?
指針的類型包括16位指針、32位指針、Pointer（6Byte）和Any（10Byte）。16位指針用于定時(shí)器、計(jì)數(shù)器、程序塊的尋址；32位指針用于I/Q/M/L/數(shù)據(jù)塊等存儲(chǔ)器中位、字節(jié)、字以及雙字的尋址，其中第0~2位表示位地址（0~7）、第3~18位為字節(jié)地址，其余位未定義；Pointer和Any一般應(yīng)用在復(fù)雜數(shù)據(jù)類型（比如Date_and_Time /Array/String等）在FB、FC之間的傳遞。而Any可以看做是對(duì)Pointer的延伸，因?yàn)橛?0Byte組成的Any中Byte4~Byte9就是一個(gè)Pointer。
了解指針的格式十分重要，為正確使用指針，應(yīng)閱讀如下內(nèi)容：
1、 "SIMATIC Programming with STEP 7 V5.5" 05/2010 第27.3.4章 參數(shù)類型
2、文檔：1008用于S7-300 和S7-400 的語句表(STL)編程
3、文檔：F0215，S7-300和S7-400尋址 1.2為什么語句 LAR1 P##PointerInput 在一個(gè)函數(shù)(FC)中是無效的,然而，同樣的語句在一個(gè)功能塊(FB)中是有效的?
在FC被調(diào)用時(shí)，復(fù)雜數(shù)據(jù)類型例如指針是被復(fù)制到調(diào)用者的臨時(shí)變量區(qū)中，在FC內(nèi)部對(duì)此V區(qū)地址直接取址放入到地址寄存器AR1或AR2是不被編譯器規(guī)則接受的（導(dǎo)致MC7寄存器信息過長），也就是說在FC內(nèi)部通過P#進(jìn)行地址寄存器取址僅能支持Temp臨時(shí)變量。因此如果需要在FC中操作指針等復(fù)雜輸入輸出變量地址需要使用累加器進(jìn)行中轉(zhuǎn)。
考慮到程序的一致性、遵守編譯器規(guī)則和STL手冊(cè)中LAR1指令說明，建議用戶使用如下指令操作：
L P##PointerInput
LAR1 1.3 STEP 7 中哪些操作會(huì)覆蓋DB/DI寄存器或者地址寄存器AR1/AR2的內(nèi)容?
下面說明了可能引起DB/DI寄存器或者地址寄存器AR1/AR2內(nèi)容改變的一些操作：

• DB寄存器和AR1受到影響的操作
  1. 使用完整的DB路徑（如L DB20.Val）或者調(diào)用FC/FB時(shí)使用DB塊完整地址作為其參數(shù)，則DB寄存器內(nèi)容被覆蓋。
  例如在OB1中調(diào)用FC1后，DB寄存器變成20。
  OPN DB1
  Call FC1
  Input(bit)：DB20.DBX0.2
  因此在編程的時(shí)候，OPN 指令打開數(shù)據(jù)塊，通過DBX x.y的方式訪問其中內(nèi)容， 但是如果在打開數(shù)據(jù)塊后DB寄存器的內(nèi)容被修改了，則DBX x.y的方式訪問變量則 會(huì)訪問到錯(cuò)誤的地址?？梢酝ㄟ^使用符號(hào)尋址的方式或者使用完整路徑編程避免，當(dāng) 然重新使用 OPN指令也是可以的。
  2. 調(diào)用FC時(shí)使用string, array, structure ，UDT作為其形參或者調(diào)用FB時(shí)使用string, array, structure 或者UDT作為其in out形參，在FC/FB程序中訪問這些地址則AR1寄存器內(nèi)容被覆蓋，因此當(dāng)使用AR1進(jìn)行間接尋址時(shí)需要注意AR1內(nèi)容的正確性。
• AR2地址寄存器和DI寄存器在FB中作為參數(shù)和靜態(tài)變量的基址尋址使用。AR2和DI如果被修改，會(huì)影響FB的參數(shù)訪問，如果希望在FB中使用DI寄存器或者地址寄存器AR2，必須預(yù)先保存它們中的內(nèi)容，并在使用后恢復(fù)它們,例如：
  TAR2 #AR2_SAVE; //AR2寄存器狀態(tài)保存到#AR2_SAVE
  L DINO;
  T #DB2_SAVE; //DI寄存器狀態(tài)保存到#DB2_SAVE

LAR2 #AR2_SAVE; //AR2寄存器恢復(fù)到使用前狀態(tài)
OPN DI [#DB2_SAVE]; //DI寄存器恢復(fù)到使用前狀態(tài)

PLC安裝順序及注意事項(xiàng)

 在網(wǎng)上找到了解決的路徑，到 http://download.microsoft.com/download/D/3/3/D33A8F5D-A7E1-4BBE-B04D-7A688785A229/Application%20Compatibility%20Toolkit.msi 下載了一個(gè)Microsoft發(fā)布名叫Application Compatibility Toolkit的小工具。先安裝好Application Compatibility Toolkit，再安裝STEP 7 MicroWIN SP6 就OK了！

 

 

 

 

允許在運(yùn)行時(shí)超過裝置額定銘牌上指定的額定直流（最大允許連續(xù)直流電流）。但是超過的程度和持續(xù)時(shí)間要受到特定的限制，這在下面進(jìn)行詳細(xì)說明。

過載電流的絕對(duì)上限是 1.8 倍的額定直流電流。最高過載持續(xù)時(shí)間取決于過載電流的時(shí)間特性，以及該裝置的過載歷史，還取決于具體的設(shè)備情況。

每次過載都必定跟隨有欠載（過載相的負(fù)載電流小于額定直流電流）。一旦達(dá)到最高允許過載持續(xù)時(shí)間，負(fù)載電流必須返回到至少絕對(duì)值 ≤ 額定直流電流。

通過對(duì)電源部分進(jìn)行熱監(jiān)視可以確定動(dòng)態(tài)過載持續(xù)時(shí)間（I²t 監(jiān)視）。I²t 監(jiān)視使用實(shí)際負(fù)載電流的時(shí)間特性計(jì)算環(huán)境溫度以上晶閘管損耗層溫度上升的替代值的時(shí)間特性。在這種情況下，要把具體的設(shè)備特性（例如熱阻和時(shí)間常數(shù)）加入到計(jì)算中。當(dāng)轉(zhuǎn)換器打開時(shí)，計(jì)算過程從初始值開始，該初始值在關(guān)斷/線路供電故障之前確定。在設(shè)置參數(shù)時(shí)必須把環(huán)境條件（環(huán)境溫度和安裝高度）考慮進(jìn)來。

計(jì)算獲得的替代消耗層溫度上升超過允許值時(shí)，I²t監(jiān)視會(huì)發(fā)出響應(yīng)。作為響應(yīng)，有兩種選擇可以被參數(shù)化：

• 電樞電流設(shè)置值下降到額定直流電流報(bào)警，或
• 設(shè)備關(guān)機(jī)故障

可以禁用 I²t 監(jiān)視功能。在這種情況下，電樞電流最高限制為額定直流電流。

動(dòng)態(tài)過載能力的組態(tài)

組態(tài)單包含以下信息：

• 最長負(fù)載持續(xù)時(shí)間t_an從低溫電源部分和指定恒定負(fù)載時(shí)算起，
• 最長零電流間隔t_ab（最長冷卻時(shí)間）直到電源部分達(dá)到“低溫”熱狀態(tài)，以及
• 極限特性的磁場(chǎng)，用于確定熱穩(wěn)定、過載間歇運(yùn)行期間的過載能力（周期性工作循環(huán)）

備注：如果計(jì)算獲得的替代損耗層溫度上升不超過最高允許值的 5%，則認(rèn)為電源部分處于“低溫”狀態(tài)。該狀態(tài)可以使用二進(jìn)制可分配輸出查詢。

帶過載間歇運(yùn)行時(shí)具有極限特性的磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)

具有極限特性的磁場(chǎng)是指具有總持續(xù)時(shí)間 300s 的間歇過載運(yùn)行的負(fù)載循環(huán)。這種負(fù)載循環(huán)包括兩個(gè)時(shí)間部分——基本負(fù)載持續(xù)時(shí)間（電樞電流實(shí)際值 ≤ 額定直流電流）和過載持續(xù)時(shí)間（電樞電流實(shí)際值 ≥ 額定直流電流）。

每個(gè)極限特性會(huì)把一個(gè)特定裝置的最大基本負(fù)載電流表示成針對(duì)最小負(fù)載持續(xù)時(shí)間（極限基本負(fù)載電流）的過載系數(shù)（極限基本負(fù)載電流，按額定直流電流的 a% 計(jì)算）。對(duì)于負(fù)載循環(huán)的剩余持續(xù)時(shí)間，最大允許過載電流通過過載系數(shù)確定。如果對(duì)于所需的過載系數(shù)沒有指定極限特性，則要遵守針對(duì)下一個(gè)最高過載系數(shù)的極限特性。

極限特性的勵(lì)磁對(duì)于 300s 負(fù)載循環(huán)有效。使用基本計(jì)算算法，負(fù)載循環(huán)可以長于或短于 300s 的負(fù)載循環(huán)持續(xù)時(shí)間組態(tài)?，F(xiàn)在使用兩個(gè)基本任務(wù)顯示。